Everspin MRAM是面向數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要的市場(chǎng)和應(yīng)用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲(chǔ)器MRAM，對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，是理想的存儲(chǔ)器解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)延遲和無(wú)限的讀/寫(xiě)耐久性。與其他串行存儲(chǔ)器不同，使用MR20H40CDF系列，讀取和寫(xiě)入都可以在存儲(chǔ)器中隨機(jī)發(fā)生，寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。Everspin代理英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)方案.
 
MR20H40CDF概述
MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為512Kx8，使用芯片選擇(CS\)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)的四引腳接口。外設(shè)接口(SPI)總線。MRAM實(shí)現(xiàn)了SPI EEPROM和SPI閃存組件通用的命令子集。這允許SPI MRAM替換同一套接字中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與其他串行存儲(chǔ)器替代品相比，SPI MRAM提供卓越的寫(xiě)入速度、無(wú)限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及簡(jiǎn)單、可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
MR20H40CDF的優(yōu)勢(shì)
與賽普拉斯FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：
•更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留（在125℃工作溫度下超過(guò)20年）
•無(wú)限讀/寫(xiě)耐久性
•無(wú)需擔(dān)心磨損
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格
•穩(wěn)定的制造供應(yīng)鏈
 
常見(jiàn)引腳
MR20H40CDF是一個(gè)4Mb非易失性RAM，組織為512Kx8，由標(biāo)稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。它提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳Small FlagDFN（DF版本）和8引腳DFN（DC版本），它們是通用封裝選項(xiàng)，可直接替代SPI-FRAM8引腳SOIC和8-引腳DFN封裝（表1）。
 
表 1. 引腳和封裝比較

特性/功能	SPI MRAM (MR20H40CDF)	SPI F-RAM (CY15B104Q)	注釋
8-pin DFN外露金屬焊盤(pán)	除了VSS之外不要連接任何東西	無(wú)連接	MRAM 8-pin DFN封裝的Exposed Metal Pad為NC(No Connect) pad；因此，它可以浮動(dòng)或連接到 VSS。 Everspin不建議在PCB上焊接MRAM DFN 外露金屬焊盤(pán)
8-pin封裝	8-pin DFN 8-pin DFN(Small Flag)	8-pin DFN, 8-pin SOIC	MRAM的8引腳DFN封裝與F-RAM的8引腳DFN封裝兼容。 SPI M-RAM也適合賽普拉斯8引腳SOIC封裝

 
EVERSPIN MRAM 將提供最具成本效益的非易失性 RAM 解決方案。 MR2xH40xDF MRAM 使用更簡(jiǎn)單的 1 晶體管、1 磁隧道結(jié)單元構(gòu)建。簡(jiǎn)單的 Everspin MRAM 單元可提高制造效率和可靠性。 MRAM 使用磁性隧道結(jié)技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。數(shù)據(jù)不會(huì)在高溫下泄漏，并且沒(méi)有磨損機(jī)制來(lái)限制該技術(shù)中的讀取、寫(xiě)入或電源循環(huán)次數(shù)。切換 MRAM 可靠性的另一個(gè)重要方面是數(shù)據(jù)保留，防止因熱感應(yīng)磁化翻轉(zhuǎn)引起的錯(cuò)誤。進(jìn)行了加速烘烤測(cè)試，其中在烘烤前將棋盤(pán)圖案寫(xiě)入部件，然后讀取數(shù)據(jù)。三個(gè)批次的 1500 個(gè)代表性 4-Mb 部件在 150 ℃ 2000 小時(shí)到 260 ℃ 2 小時(shí)的條件下烘烤，并且觀察到所有部件的數(shù)據(jù)保留翻轉(zhuǎn)為零。外推到工作溫度表明數(shù)據(jù)保留壽命超過(guò) 20 年。由于磁性材料對(duì)輻射暴露的固有穩(wěn)健性，MRAM 還提供抗輻射性能。 4-Mb 芯片的阿爾法粒子和中子輻射顯示錯(cuò)誤率 <0.5 FIT/Mb。


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