各晶圓代工廠(chǎng)的工廠(chǎng)布局及產(chǎn)能分配之前，我們首先可以觀察各國(guó)/地區(qū)先進(jìn)工藝與成熟工藝產(chǎn)能分配情況。
 
  中國(guó)臺(tái)灣的先進(jìn)制程占比從71%下降到54%，美國(guó)從9%增長(zhǎng)到21%，日本從0增長(zhǎng)到4%。先進(jìn)工藝的變化主要由臺(tái)積電海外布局帶動(dòng)——因地緣政治因素的影響，半導(dǎo)體區(qū)域化程度進(jìn)一步加深，臺(tái)積電把部分先進(jìn)工藝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到美國(guó)、日本，這些地區(qū)的臺(tái)積電新工廠(chǎng)在未來(lái)幾年將陸續(xù)達(dá)產(chǎn)。
 
  在成熟制程(大于28nm)方面，2023至2027年期間，隨著中國(guó)大陸地區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)、新建項(xiàng)目陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，在28nm及以上成熟制領(lǐng)域快速搶占市場(chǎng)，該地區(qū)成熟制程的占比從31%飆升到47%。對(duì)比之下，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的占比明顯降低，從45%縮減到36%。
 
  據(jù)短期內(nèi)的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2025年臺(tái)積電的8英寸產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)保持在約80%的水平，占據(jù)全球20%左右的8英寸晶圓市場(chǎng)份額。同時(shí)，在12英寸晶圓領(lǐng)域，臺(tái)積電的投片規(guī)模占比預(yù)計(jì)接近41%。而除三星擁有11%的占比外，其他晶圓代工廠(chǎng)的占比均在個(gè)位數(shù)。
 
  2025年全球晶圓代工廠(chǎng)營(yíng)收占比，全球90%的晶圓代工營(yíng)收被五大晶圓代工廠(chǎng)占據(jù)——臺(tái)積電(TSMC)約占66%，三星(Samsung)約占9%，聯(lián)電(UMC)、中芯國(guó)際(SMIC)、格羅方德(Global Foundries)各占5%。


本文關(guān)鍵詞：晶圓

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