MRAM是一種屬于非易失性存儲器技術，通過磁存儲元件存儲數據。這些元件是兩個鐵磁板或電極，它們可以維持一個磁場，并且由非磁性材料分開……其中一個板塊的磁化強度是固定的(也就是一個“參考層”)……第二個板塊通常被稱為自由層，它的磁化方向可以由一個較小的磁場改變。

磁RAM，或稱MRAM，已經投入生產了10年，主要用于嵌入式系統。通常，出于電力或耐久性的原因，閃存無法介入這一領域。其供應商，如Everspin和Spin Transfer Technologies(以下簡稱STT)，一直致力于提高MRAM的密度、性能和耐久性。

　　
與閃存相比，MRAM有一些很大的優勢，包括:

　　•低成本制造

　　•制造工藝在28nm以下，不像閃存。

　　•功耗更低，甚至比閃存低數百倍。

　　•字節可尋址，如DRAM，不像閃存。

STT的PSC技術推進STT－MRAM容量的大幅度提升　　

　　進動自旋流(PSC，PRECESSIONAL SPIN CURRENT)的物理實現是在垂直磁性隧道結(pMTJ)上的三層薄層。

這些薄的、獲得了專利的層對pMTJ的作用有四點:

　　•減少寫入單元所需的電流。

　　•在讀取時提高單元的數據保留度約10000x，減少讀取干擾問題。

　　•由于寫入電流減少，PSC增加了100x到1000x的耐久度。

　　•同時，隨著特征尺寸的縮小，單元行為提高。

　  
存儲器技術要求的不只有記憶容量與密度，使用壽命與容錯能力等數據也很重要，GlobalFoundries與Everspin Technologies合作，對已上市的256Mb容量pSTT－MRAM進行測試，可在攝氏100度環境下保存數據10年以上，重復讀寫1億次也沒有明顯劣化問題，顯示pSTT－MRAM技術已達成熟階段。

 

但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲器還有一段路要走，另一種比較可行的應用，是把STT－MRAM嵌入其他系統芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內的記憶容量。

接下來STT－MRAM的商業發展，將先從大容量產品開始，抑或在嵌入式系統市場上普及，，主要用于汽車、地理和其他困難環境的嵌入式應用。在一個日益移動化的世界，MRAM的廣泛應用將是一個很好的結果。

本文關鍵詞：STT－MRAM

 

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