ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。
 
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標(biāo)準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。英尚微電子親自授權(quán)為ISSI代理,為各行業(yè)領(lǐng)域提供各種SRAM芯片,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求.
 
SRAM芯片型號IS62WV51216，管腳圖如下：
 
IS62WV51216的管腳總的來說大致分為：電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號線。
 
特征
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
–12µW（典型值）CMOS待機
•TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全靜態(tài)操作：無時鐘或刷新需要
•三態(tài)輸出
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•可提供工業(yè)溫度
•無鉛

ISSI  8Mb LP SRAM芯片

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)
8Mb	1Mx8	IS62C10248AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	512Kx16	IS62WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS62C51216AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS62/65WV51216EALL/EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EALL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS62/65WV10248EALL/EBLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)

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