XM8A51216采用異步SRAM接口并結(jié)合獨(dú)有的XRAM免刷新專利技術(shù)，在大容量、高性能和高可靠及品質(zhì)方面完全可以匹敵同類SRAM，具有較低功耗和低成本優(yōu)勢，可以與市面上同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容，并且滿足各種應(yīng)用系統(tǒng)對高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以當(dāng)做異步SRAM使用，稱為新型國產(chǎn)SRAM芯片也不為過,
 
XM8A51216是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）專利技術(shù)而成的新型存儲器。與傳統(tǒng)的DRAM和SRAM不同,
 
XM8A51216具有以下幾個技術(shù)特點(diǎn)：
1、數(shù)據(jù)讀取速率快于DRAM產(chǎn)品10倍，延時10ns左右；
2、容量覆蓋Megabit到Gigabit；
3、可以節(jié)省40%左右的存儲陣列功耗；
4、從用戶端不需要考慮刷新機(jī)制，可以隨時訪問。
 
XM8A51216封裝圖




型號表：

Density	PartNumber	BW bit	Vdd	Speed	Package
64Mb	XM8A04M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb	XM8A08M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb	XM8A02M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb	XM8A04M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A01M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A02M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb	XM8A51216V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb	XM8A01M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb	XM8A25616V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb	XM8A51208V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)

本文關(guān)鍵詞： XM8A51216

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