Everspin非易失性存儲(chǔ)器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標(biāo)稱(chēng)3.3V電源供電，并且與FRAM兼容。它提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳Small Flag DFN。可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝。與其他串行存儲(chǔ)器替代品相比SPI MRAM具有卓越的寫(xiě)入速度，無(wú)限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及簡(jiǎn)單，可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
MR25H40VDF的優(yōu)點(diǎn)
•更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留（在125℃工作溫度下超過(guò)20年）
•無(wú)限讀/寫(xiě)耐久性
•無(wú)磨損問(wèn)題
•掉電時(shí)的自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•競(jìng)爭(zhēng)定價(jià)
•穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈
 
MR25H40VDF對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，是理想的內(nèi)存解決方案。具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)延遲并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。與其他串行存儲(chǔ)器不同，使用MR25H40VDF，讀取和寫(xiě)入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。
 
everspin是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)運(yùn)輸分立和MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，面向數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用程序的市場(chǎng)和應(yīng)用。完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin 在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)部署了超過(guò) 1.2 億個(gè) MRAM 和 STT-MRAM 產(chǎn)品，為全球 MRAM 用戶(hù)奠定了最強(qiáng)大、增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場(chǎng)和應(yīng)用的翹楚，在這些市場(chǎng)和應(yīng)用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性是至關(guān)重要。
 
 
本文關(guān)鍵詞：MR25H40VDF,MRAM,Everspin

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