快速異步型SRAM，存取時間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。
 
國產SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速隨機靜態(tài)存儲器，位寬8*1M字位。該器件采用先進的CMOS工藝和基于6-TR的單元技術制造，專為高速電路技術而設計。它特別適用于高密度高速系統(tǒng)應用。
 
EMI516NF16LM-10I使用8條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。封裝采用48FBGA。代理英尚國際有限公司支持提供樣品測試及技術支持。
 
EMI516NF16LM-10I特點
•快速訪問時間：10ns
•CMOS低功耗待機(TTL)：35mA（最大值）
(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)
•3.3V電源
•TTL兼容輸入和輸出
•完全靜態(tài)操作，無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•數據字節(jié)控制(x16模式)LB:I/O0~I/O7,UB:I/O8~I/O15
•標準48FBGA封裝類型
•符合ROHS
•工業(yè)溫度
 
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場（Niche market）專用芯片/小型SOC芯片及SRAM芯片的整體解決方案，提供創(chuàng)新、高品質、高性價比、 供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片，并通過提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發(fā)難度，縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。

本文關鍵詞：EMI516NF16LM-10I,SRAM

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