MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術（MRAM設備是Spintronics設備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)，軍事和太空應用，Everspin代理英尚微電子為用戶提供技術指導及產(chǎn)品應用解決方案。
 
基于微機電系統(tǒng)（MEMS）的磁力計將使用MRAM替代日本研究衛(wèi)星上的靜態(tài)RAM和閃存。MRAM取代了Angstrom的SpriteSat模塊中的閃存和電池供電的SRAM。MRAM在衛(wèi)星任務的各個階段重新配置關鍵程序和航線定義的能力是一項重大收益。
 
工程師在SpriteSat上檢查了Angstrom航空航天公司基于MRAM的磁力計子系統(tǒng)，該子系統(tǒng)將由日本航空航天開發(fā)局啟動。
 
MRAM于1990年代構想，可以替代從RAM到硬盤的各種類型的內(nèi)存。由于它是固態(tài)的，因此MRAM超越了硬盤的旋轉(zhuǎn)機制。同樣，由于單個位可以無限次地擦除和重寫，因此MRAM超過了閃存，后者只能在小于100萬次的大塊中擦除和重寫，直到位開始失效。MRAM也是非易失性的。
 
Angstrom Aerospace在其衛(wèi)星子系統(tǒng)中僅使用MRAM。MRAM將保存存儲的程序數(shù)據(jù)以及其現(xiàn)場可編程門陣列的配置位。此外MRAM相對容易的重新編程能力將允許通過將新的內(nèi)存映像上傳到MRAM來從頭對程序代碼和FPGA進行重新配置。

 
例如Everspin MRAM MR2A16A存儲4 Mbit數(shù)據(jù)，對于軍事和航空航天等利基應用，MRAM開始取代其他類型的內(nèi)存。MR2A16A是永久存儲和檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用程序的理想存儲器。擁有商業(yè)，工業(yè)運行溫度。MR2A16A MRAM具有在-55至+125攝氏度的溫度范圍內(nèi)符合軍事規(guī)格。Everspin MRAM在-40至+105攝氏度下運行。提供AEC-Q100 1級合格選項。35ns的讀寫速度，具有無限的耐力。數(shù)據(jù)非易失性，使用壽命長達20年。數(shù)據(jù)保留掉電。符合RoHS的軟件包等功能。


本文關鍵詞： MRAM   MR2A16A

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