Crossbar悄無聲息地帶來了一個(gè)全新的、極具吸引力的替代性存儲(chǔ)器技術(shù)。他們解決方案的關(guān)鍵是將ReRAM內(nèi)置于存儲(chǔ)單元之中，不像其它ReRAM技術(shù)還需要一個(gè)單獨(dú)的外部設(shè)備，這無疑會(huì)帶來噪音等諸多問題。而這也就會(huì)顯示出Crossbar方案的極大優(yōu)勢(shì)。鉬CrossbarReRAM技術(shù)基于一個(gè)簡單的結(jié)構(gòu)，采用CMOS工藝常用的材料以及標(biāo)準(zhǔn)的制造工藝，無需任何特別的機(jī)器設(shè)備或者材料，就可以很容易地在現(xiàn)有的CMOS工廠進(jìn)行制造。由于Crossbar ReRAM采用了低溫后段制程工藝整合，所以多層Crossbar ReRAM陣列可以被整合到CMOS邏輯晶圓之上，從而創(chuàng)建出3D ReRAM存儲(chǔ)芯片。

Crossbar ReRAM單元存儲(chǔ)介質(zhì)是包裹絕緣性非晶硅（a-Si）的金屬絲，這與在閃存單元里電子存儲(chǔ)的形式有很大不同，因?yàn)槟呐率巧倭康碾娮訐p耗都會(huì)引發(fā)可靠性問題，所以鎖定電子就變成了一個(gè)艱巨的挑戰(zhàn)。這也是為什么閃存的性能在較小的制程工藝尺寸上會(huì)有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不會(huì)影響設(shè)備的性能，并且有望被用于10納米以下的尺寸。

CrossbarReRAM技術(shù)具有眾多特性，可以實(shí)現(xiàn)多種全新的存儲(chǔ)解決方案類別。Crossbar ReRAM單元的內(nèi)置選擇特性允許不同的內(nèi)存陣列配置，一個(gè)晶體管可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)或者成千上萬個(gè)內(nèi)存單元，從而實(shí)現(xiàn)了針對(duì)不同目標(biāo)應(yīng)用的靈活設(shè)計(jì)：嵌入式代碼存儲(chǔ)的快速讀取和處理器的直接執(zhí)行，或者對(duì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的高密度、低延滯讀取。

Crossbar ReRAM技術(shù)相較于NAND閃存能夠?qū)⒆x取延滯降低到1/100，將寫入速度提升20倍，而且還可以不受限制地對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行反復(fù)擦除。CrossbarReRAM技術(shù)可以以小頁模式建構(gòu)，可以被獨(dú)立地擦除或者重新編程。通過移除無用單元回收所要求的大量后臺(tái)內(nèi)存讀取，這種全新的存儲(chǔ)架構(gòu)大大簡化了存儲(chǔ)控制器的復(fù)雜度。該技術(shù)的寫入放大率為1，從而為用戶帶來低的讀寫延滯、更低功耗以及存儲(chǔ)解決方案更長生命周期的好處。

憑借這些突破性的性能和可靠性、超高的容量、低功耗以及針對(duì)多種存儲(chǔ)架構(gòu)的可調(diào)性，Crossbar將為消費(fèi)電子、企業(yè)存儲(chǔ)、移動(dòng)計(jì)算、工業(yè)/汽車/醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)以及可穿戴設(shè)備應(yīng)用帶來一波新的創(chuàng)新。


本文關(guān)鍵詞：ReRAM 消費(fèi)電子  物聯(lián)網(wǎng)
 
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